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摘要：

• 面向第二代及第三代 2nm 制程，推出全新可量产、 AI 驱动的数字与模拟设计流程，同步推出经认证的接口IP扩展产品组合，覆盖三星晶圆代工厂汽车级工艺节点。
• 面向逻辑综合（Synthesis）、版图（Layout）以及签核（Signoff）环节的独特设计与工艺协同优化（DTCO）方案，正带来显著的功耗、性能与面积（PPA）提升。
• 客户通过采用与三星晶圆代工厂联合验证并部署的由AI驱动并基于硅片的设计与制造测试能力，可实现最高达 20% 的测试效率提升。

美国加利福尼亚州桑尼维尔，2026 年 5 月 28 日 /美通社/ —— 新思科技（纳斯达克代码：SNPS）近日在三星先进晶圆代工厂生态系统2026论坛大会（SAFE Forum 2026）上宣布了公司与三星晶圆代工厂在先进工艺节点方面的最新合作成果，包括扩展的可量产 AI 驱动 EDA 工具产品组合、经认证的接口 IP，以及基于硅片的测试能力，助力客户更快将差异化的 AI 和Multi-Die设计推向市场，并显著提升产品质量。

在大会主题演讲中，新思科技总裁兼首席执行官盖思新先生（Sassine Ghazi） 强调了双方长期合作的重要价值，强强联手应对加速增长的半导体工程复杂性、更快开发周期所带来的巨大压力以及不断上升的成本。盖思新表示，应对这些挑战需要一种全新的设计范式，将 AI 驱动的自动化能力与多物理场智能融合贯穿于整个设计与制造流程之中。盖思新指出，通过采用新思科技的AI 驱动型解决方案和深度设计与工艺协同优化（DTCO）解决方案，客户在三星晶圆代工厂最新工艺节点上能够以更快速度将先进芯片推向市场，同时在功耗、性能与面积（PPA）以及测试效率方面实现显著提升。

三星电子晶圆厂设计技术团队副总裁兼负责人 Hyung Ock Kim 表示：“设计、测试与制造环节的紧密协同，对于先进工艺节点上 AI 和Multi-Die设计的成功至关重要。我们与新思科技持续深化合作，为客户提供基于硅片、经过客户验证的解决方案，能够帮助客户降低设计集成风险、提升硅片的可预测性，并让客户能够更有信心地将他们最具创新性的设计从设计阶段顺利推向量产。”

新思科技首席产品管理官 Ravi Subramanian 表示：“随着设计日趋异构化，客户需要面向量产、经过硅片验证的解决方案，以应对从芯片到系统层面的复杂性并将风险降至最低。我们与三星晶圆厂的合作，将多年来在设计与工艺协同优化（DTCO）和硅片实践中积累的经验转化为切实的支撑能力，帮助客户将先进设计更快、更有信心地推向市场”

新思科技与三星晶圆厂的全新合作包括：

• 新思科技面向第三代 2 nm制程提供全新可量产流程及更优的PPA： 新思科技AI 驱动的数字与模拟设计流程已可用于第三代 2 nm制程的量产，助力客户以更快速度、更高信心迁移至三星晶圆厂的先进工艺节点。通过新思科技与三星晶圆厂持续推进的设计与工艺协同优化(DTCO) ，新思科技 Fusion Compiler™ 在第三代 2 nm制程上实现了比第二代 2 nm制程表现更优且可量化的功耗和性能提升，并已通过客户验证。
• 基于硅验证的签核阶段功耗与性能提升，并融合经认证的多物理场能力： 新思科技 PrimeShield™ 工艺敏感性分析和 PVT Explorer，在签核阶段为设计优化和工程变更指令（ECO）决策提供支持。基于 2 nm制程的流片反馈，已验证在漏电流仅增加5%的情况下，频率提升最高可达2.7%¹。此外，新思科技 Totem-SC 是在第二代 2 nm和 4 nm制程上获得认证的电迁移（EM）和 IR 压降分析解决方案，能够提升芯片设计的电源完整性与可靠性。
• AI 驱动测试提升设计效率与质量： 新思科技与三星晶圆厂正在将经过硅验证的方法论应用于可测性设计（DFT）和制造测试，以降低先进工艺节点设计的测试成本并提升测试质量。例如，新思科技 TestMAX™ 结合 AI 辅助自动测试向量生成（ATPG）技术（TSO.ai），已与三星晶圆厂团队联合验证并部署，能够在保证故障覆盖率的前提下，将在三星晶圆厂制造的SoC 和Multi-Die的测试向量数量和测试周期缩减高达 20%。此外，面向物理的测试和失效诊断可在芯粒（die）和multi-die级别提升测试质量并加快失效分析的响应时间，这些结果已在三星晶圆厂通过硅验证。
• 支持三星混合铜键合 3DIC 解决方案，并结合多物理场分析的探索至签核一体化平台： 新思科技与三星晶圆厂通过新思科技 3DIC Compiler 内集成的经认证多物理场签核解决方案，实现可扩展的3D multi-die设计。作为一个统一的探索至签核平台，新思科技 3DIC Compiler平台能够基于混合铜键合（HCB）3D 测试芯片进行验证，将规划、实现以及多物理场分析集成在一起，在集成计算、存储及先进封装系统层面实现协同优化，为三星基于HCB 技术的 3DIC 解决方案提供支持。通过以自动化、AI 驱动的系统优化取代传统的手工和留裕量的方法，该平台不仅提升了开发者的生产力，同时也提升了下一代 3D AI 设计的设计结果质量（QoR）。
• 扩展面向先进节点和汽车级工艺节点 IP 组合并降低设计集成风险： 新思科技为三星晶圆厂先进工艺节点提供业界最广泛的 IP 产品组合，覆盖从 14nm、8nm、5nm 到全新的 4nm 及第二代 2nm 工艺节点，支持高性能计算、消费电子、移动设备和边缘 AI 在内的众多应用领域，同时也支持 5nm 和 2nm 工艺节点的汽车级应用。新思科技丰富的接口 IP 产品组合，包括 UCIe、PCIe 7.0、112G/224G、MIPI、LPDDR6、DDR5 MRDIMM Gen2 和 USB4，以及嵌入式存储、逻辑库、GPIO，安全 IP 和芯片全生命周期管理（SLM）等基础IP产品组合，通过与三星长期合作实现优化，提供面向三星工艺量身定制的高可靠、低风险解决方案，助力客户加速产品上市进程。

新思科技在SAFE Forum 2026 展示了其与三星晶圆厂持续深化的合作创新成果，双方秉持共同创新、助力客户成功的理念，在最先进工艺节点领域持续推进协同创新。

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相关资源：
• 更多信息：新思科技与三星持续生化合作
• 视频：新思科技携手三星推动技术突破
• 博客：新思科技携手三星晶圆厂，加速Multi-Die创新

¹ 相较于新思科技 PrimeShield 的此前版本

关于新思科技

新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）是从芯片到系统工程解决方案的全球领导者，助力客户加速创新，打造由人工智能驱动的产品。我们提供业内领先的芯片设计、IP核、仿真与分析解决方案以及设计服务。新思科技与来自广泛各个行业的客户紧密合作，最大化其研发能力与生产效率，激励今天的创新，以激发未来无限创意，让明天更有新思。如需了解更多信息，请访问www.synopsys.com/zh-cn

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